IQE065N10NM5SC
在产
符合RoHS标准

IQE065N10NM5SC

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 100 V，PQFN 3.3x3.3源极向下 DSC 封装具有行业领先的 RDS(on) 和卓越的热性能
数据手册
封装

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IQE065N10NM5SC
IQE065N10NM5SC
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    85 A
  • 最高 ID
    85 A
  • 最高 IDpuls
    340 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • QG
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.5 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    6.5 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
  • 预算价格€/1k
    1.05
推荐的
OPN
IQE065N10NM5SCATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 100V PQFN 3.3x3.3源极朝下 DSC：提供翻转的硅芯片，该芯片在组件内部倒置放置。这种调整允许源极电位（而不是漏极电位）通过导热垫连接到 PCB。因此，它具有多种优势，例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性

  • RDS(on)大幅降低30%
  • 与当前PQFN相比，RthJC降低
  • 提供标准栅极和中心栅极
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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