在产
符合RoHS标准
无铅

IR2011S

200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IR2011S
IR2011S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    75 ns
  • 开通传播延迟
    80 ns
  • 电压等级
    200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    1 A
  • 输出电流 (Source)
    1 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
IR2011STRPBF IR2011SPBF
产品状态 active active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
包装尺寸 2500 3800
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 2 2
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 3800
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
200 V 高侧和低侧驱动器 IC，具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可操作至 200 V
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立。低侧和高侧通道
  • 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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