{
"default" : {
"title" : "登录或注册",
"description" : "请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"bookmark" : {
"title" : "登录或注册以添加书签",
"description" : "将此页面添加为书签可将其保存在您的 myInfineon 仪表板中,以便于访问。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"gated_document" : {
"title" : "登录或注册即可下载",
"description" : "要访问此文档,您需要一个 myInfineon 帐户。一旦您创建了帐户,您就可以享受无限制下载。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"gated_video" : {
"title" : "登录或注册即可观看视频",
"description" : "要观看此视频,您需要一个 myInfineon 帐户。创建帐户后,您将享受无限制的下载和视频。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"event_registration" : {
"title" : "登录或创建帐户以注册参加活动",
"description" : "要注册此活动,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"board_registration" : {
"title" : "登录或注册以注册您的主板",
"description" : "要注册该主板,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"block_diagram" : {
"title" : "登录或注册以保存框图",
"description" : "保存此框图将创建一个链接并将其存储在您的 myInfineon 仪表板中。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"contact_sales" : {
"title" : "登录或注册以联系您的销售代表。",
"description" : "创建帐户有助于我们为您匹配合适的销售联系人,以提供个性化的帮助。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"subscribe_to_newsletter" : {
"title" : "登录或注册订阅营销通讯",
"description" : "要订阅,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"add_to_cart" : {
"title" : "登录或注册以将产品添加到购物车",
"description" : "要访问您的购物车,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户"
}
}
IR2011S
商品详情
-
VBS UVLO (On)9 V
-
VBS UVLO (Off)8.2 V
-
VCC UVLO (On)9 V
-
VCC UVLO (Off)8.2 V
-
关断传播延迟75 ns
-
开通传播延迟80 ns
-
拓扑结构High-side and low-side
-
电压等级200 V
-
质量等级Industrial
-
输入Vcc 范围10 V 至 20 V
-
输出电流 (Sink)1 A
-
输出电流 (Source)1 A
-
通道2
-
隔离类型Functional levelshift JI (Junction Isolated)
200 V 高侧和低侧驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引线 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。
特性
- 用于引导操作的浮动通道。
- 完全可操作至 200 V
- 可耐受负电压。瞬态电压。
- dV/dt 免疫
- 栅极驱动电源:10 V 至 20 V
- 独立。低侧和高侧通道
- 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
- 双通道欠压锁定
- 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
- CMOS 施密特触发输入
- 匹配属性。两个通道均延迟。
应用
文档