IR2011S
在产
符合RoHS标准
无铅

IR2011S

200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
多个 OPN 可用

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商品详情

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    75 ns
  • 开通传播延迟
    80 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    1 A
  • 输出电流 (Source)
    1 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

OPN
IR2011STRPBF IR2011SPBF
产品状态 active not for new design
英飞凌封装名称
封装名 N/A N/A
封装尺寸 2500 3800
封装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 2 2
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 3800
封装类型 TUBE
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
200 V 高侧和低侧驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流,采用 8 引线 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可操作至 200 V
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源:10 V 至 20 V
  • 独立。低侧和高侧通道
  • 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。

应用

文档

设计资源

开发者社区