不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IR2184

具有关断功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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IR2184
IR2184
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    270 ns
  • 开通传播延迟
    680 ns
  • 电压等级
    600 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    1.9 A
  • 输出电流 (Sink)
    2.3 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
OPN
IR2184PBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PDIP8
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PDIP8
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 SOIC、14 引脚 SOIC、14 引脚 PDIP。对于采用我们 SOI 技术的新版本，我们推荐 2ED2184S06F，它提供集成自举二极管、更好的稳健性和更高的开关频率

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
  • 更低 di/dt，获得更佳的噪声性能。
  • 输出源电流能力 1.4 A
  • 输出吸收电流能力 1.8 A

应用

图表

Circuit_Diagramm_IR2184
Circuit_Diagramm_IR2184
Circuit_Diagramm_IR2184 Circuit_Diagramm_IR2184 Circuit_Diagramm_IR2184
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