IR25606S
在产
符合RoHS标准
无铅

IR25606S

具有击穿保护功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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IR25606S
IR25606S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • 关断传播延迟
    200 ns
  • 开通传播延迟
    220 ns
  • 拓扑结构
    Half-Bridge
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.35 A
  • 输出电流 (Source)
    0.2 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IR25606STRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW,US
600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • Integ.600 V 半桥驱动器
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。
  • 交叉传导预防逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 输出与输入同相
  • 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
  • 内部 540ns 死区时间

应用

图表

Circuit_Diagramm_IR25606S
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