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IRF1104
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF1104

停产
采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF1104
IRF1104
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    62 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.68

OPN
IRF1104PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
CN

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
CN

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准认证
  • 高性能、低频率
  • 现有设备的直接替代品
  • 高电流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区