IRF3546M

60A 双集成电源块。两对高性能控制和同步 MOSFET。25V 四路 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF3546M
IRF3546M
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商品详情

  • ID (@ TC=100°C) max
    16 A
  • ID max
    20 A
  • ID (@ TC=70°C) max
    20 A
  • Qgd (typ)
    6 nC
  • QG
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.2 mΩ
  • RDS (on) max
    1.8 mΩ
  • RthJA max
    18.4 K/W
  • VDS max
    60 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    Power Block (PQFN 6x8)
  • Moisture Sensitivity Level
    3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 1.2V 时峰值效率高达 94%
  • 单个 PQFN 封装中集成两对控制和同步 MOSFET
  • 专有封装可最大程度地减少封装寄生效应并简化 PCB 布局
  • 输入电压 (VIN) 范围为 4.5V 至 21V
  • 输出电流能力为每相 30A
  • 超低 Rg MOSFET 技术可最大限度减少开关损耗，从而优化高频性能
  • 带有单片集成肖特基二极管的同步 MOSFET 可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
  • 高效双面冷却
  • 小型 6mm x 8 mm x 0.9mm PQFN 封装
  • 符合 RoHS 标准的无铅封装
  • FastIRFET ™

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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