IRF540ZS

IRF540ZS

采用 D2Pak 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF540ZS
IRF540ZS
  • 最高 ID (@25°C)
    36 A
  • 最高 Ptot
    92 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    26.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.64 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 10 V 栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装(高达 195 A,取决于芯片尺寸)
  • 可进行波峰焊

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }