IRF5806

IRF5806

采用 TSOP-6(Micro 6)封装的 -20V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF5806
IRF5806
  • 最高 ID (@25°C)
    -4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • 最高 Ptot
    2 W
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    8.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    86 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -20 V
  • VGS(th) 范围
    -0.45 V 至 -1.2 V
  • VGS(th)
    -0.83 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    2
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • P沟道MOSFET

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }