IRF6614

IRF6614

采用 DirectFET ™ ST 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册

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IRF6614
IRF6614
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    55 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.1 W
  • 最高 Ptot
    42 W
  • Qgd
    6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    9.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    3 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (S)
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 微型模板
    IRF66ST-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.02
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 高载流能力
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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