IRF7205PBF-1

IRF7205PBF-1

采用 SO-8 封装的 -30V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF7205PBF-1
IRF7205PBF-1
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -4.6 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    7.5 nC
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    70 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    130 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -3 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 行业标准引脚排列 SO-8 封装
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 规定，不含卤素
  • MSL1，工业资格

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区