在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7341

采用 SO-8 封装的 55V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF7341
IRF7341
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    4.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    7 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    65 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.21
受到推崇的
OPN
IRF7341TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 双 N 沟道 MOSFET

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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