IRF7342PBF-1

IRF7342PBF-1

采用 SO-8 封装的 -55V 双 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7342PBF-1
IRF7342PBF-1
  • 最高 ID (@25°C)
    -3.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    8.4 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    105 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    170 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -55 V
  • 最低 VGS(th)
    -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
文档

设计资源

开发者社区

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