IRF7452

IRF7452

采用 SO-8 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7452
IRF7452
  • 最高 ID (@25°C)
    4.5 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    60 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效功耗,以简化设计

应用

文档

设计资源

开发者社区

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