IRF7476
已淘汰
符合RoHS标准
无铅

IRF7476

采用 SO-8 封装的 12V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF7476
IRF7476
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    15 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    8 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    12 V
  • VGS(th) 范围
    0.6 V 至 1.9 V
  • VGS(th)
    1.25 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF7476TRPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 超低栅极阻抗
  • 极低的 RDS(on)
  • 全面表征雪崩电压和电流

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区