IRF7749L1
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7749L1

采用 DirectFET L8 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 33 安培,具有低导通电阻。

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IRF7749L1
IRF7749L1

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    200 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.3 W
  • Qgd
    71 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.5 mΩ
  • 最高 RthJA
    45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (L)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 微型模板
    IRF66L8-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.89
OPN
IRF7749L1TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
文档

设计资源

开发者社区

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