在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7749L1

采用 DirectFET L8 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 33 安培，具有低导通电阻。
数据手册
每件.
有存货

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IRF7749L1
IRF7749L1
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    200 A
  • Ptot max
    125 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.3 W
  • Qgd
    71 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.5 mΩ
  • RthJA max
    45 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET (L)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Micro-stencil
    IRF66L8-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    1.89
受到推崇的
OPN
IRF7749L1TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

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