IRF7910

采用 SO-8 封装的 12V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7910
IRF7910

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    7.9 A, 7.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.2 nC
  • QG
    17 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    15 mΩ
  • RDS (on) (@2.7V) max
    50 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    12 V
  • VGS max
    12 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+N, N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效功耗,以简化设计
  • 双 N 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

开发者社区

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