IRF7NA2907SCV
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IRF7NA2907SCV

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IRF7NA2907SCV
IRF7NA2907SCV
  • 最高 ID (@100°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    4.5 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    75 V
  • 产品类别
    High Reliability MOSFETs
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRF7NA2907SCV 是一款采用 SMD-2 封装的高可靠性、75V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有TXV级筛选,可靠适用于国防应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }