IRFB3207Z
在产
符合RoHS标准

IRFB3207Z

75V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFB3207Z
IRFB3207Z
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    170 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • Qgd
    33 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.1 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.98
推荐的
OPN
IRFB3207ZPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区