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IRFB4410
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFB4410

停产
采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFB4410
IRFB4410
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    88 A
  • 最高 Ptot
    250 W
  • Qgd
    44 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    10 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.61 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.72

OPN
IRFB4410PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,GB,TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,GB,TW
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高电流承载能力
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