IRFH7110

IRFH7110

采用 PQFN 5x6 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFH7110
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    58 A
  • 最高 Ptot
    104 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    13.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 E/G
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

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