IRFH7190

IRFH7190

采用 PQFN 5 x 6 B/E 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFH7190
IRFH7190
数据手册
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    52 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    15 A
  • 最高 ID
    52 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    82 A
  • 最高 Ptot
    104 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • Qgd
    8.3 nC
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on)
    7.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低 RDS(ON)（小于 7.5 毫欧姆）可降低传导损耗
  • 内部缓冲器可降低 Vds 尖峰，改善 EMI
  • PCB 热阻低（低于 1.2°C/W）可提高功率密度
  • 100% Rg 测试结果提高可靠性
  • 低剖面（小于 1.05 毫米）可提高功率密度
  • 行业标准引脚排列可实现多供应商兼容性
  • 与现有表面贴装技术兼容，使制造更加容易
  • 符合 RoHS 标准，无卤素，更加环保
  • MSL1 可提高可靠性
  • FastIRFET ™

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }