IRFI1010N

IRFI1010N

采用 TO-220 FullPak(Iso)封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFI1010N
IRFI1010N

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    49 A
  • 最高 Ptot
    47 W
  • Qgd
    35.3 nC
  • QG (typ @10V)
    86.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.6 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

开发者社区

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