IRFI4321
在产
符合RoHS标准
无铅

IRFI4321

采用 TO-220 FullPak 封装的 150V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFI4321
IRFI4321
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    34 A
  • 最高 Ptot
    46 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    16 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.73 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.23

推荐的
OPN
IRFI4321PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
GB,KR,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
GB,KR,TW
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 针对开关频率 <100kHz 进行了优化的硅片
  • 隔离封装

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 无需绝缘硬件
文档

设计资源

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