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微控制器
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IRFIZ34N
商品详情
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ID (@25°C) max21 A
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Ptot max31 W
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Qgd9.3 nC
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QG (typ @10V)22.7 nC
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RthJC max4.1 K/W
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Tj max175 °C
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VDS max55 V
-
VGS(th)3 V
-
VGS max20 V
-
MountingTHT
-
PackageTO-220 FullPAK
-
Operating Temperature-55 °C to 175 °C
-
PolarityN
-
Budgetary Price €/1k0.43
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OPN
|
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IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。
特性
- 适用于宽 SOA 的平面单元结构
- 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
- 产品符合 JEDEC 标准
- 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
- 隔离封装
产品优势
- 增强耐用性
- 分销合作伙伴广泛供应
- 行业标准资质水平
- 低频应用中的高性能
- 无需绝缘硬件