IRFR420TRPBF

采用 DPak(TO-252)封装的 500V HEXFET 功率 MOSFET。

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IRFR420TRPBF
IRFR420TRPBF

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    2.4 A
  • Ptot
    42 W
  • Qgd
    8.7 nC
  • QG (typ @10V)
    12.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 RthJC
    3 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    500 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • 动态 dv/dt 额定值
  • 重复雪崩额定值
  • 表面贴装 (IRFR420)
  • 提供卷带包装
  • 快速切换
  • 易于并行
  • 无铅;符合 RoHS 规定;无卤素

应用

文档

设计资源

开发者社区

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