IRFU13N20D

IRFU13N20D

采用 I-Pak 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFU13N20D
IRFU13N20D

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    13 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    235 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK (TO-251)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效功耗,以简化设计

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }