IRFU3709Z

采用 I-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFU3709Z
IRFU3709Z

商品详情

  • ID (@ TC=100°C) max
    61 A
  • ID max
    86 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    86 A
  • Ptot max
    79 W
  • Qgd
    5.7 nC
  • QG
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.5 mΩ
  • RDS (on) max
    6.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8.2 mΩ
  • RthJC max
    1.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    IPAK (TO-251)
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗

应用

文档

设计资源

开发者社区

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