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IRHF57214SESCS

数据手册
封装

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IRHF57214SESCS
IRHF57214SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    1.4 A
  • ID (@25°C) max
    2.2 A
  • QG
    15.7 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1550 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF57214SESCS R5 N 沟道 MOSFET 是一款可靠的航天级 MOSFET。它具有抗辐射性能，额定电压为 250V，额定电流为 2.2A，并且符合 QIRL 认证标准。其低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少功率损耗，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制应用的理想选择。凭借在卫星应用中经过验证的性能，它保留了 MOSFET 的优点，包括电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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