IRHF7110
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IRHF7110

数据手册
封装

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IRHF7110
IRHF7110
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    600 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF7110 R4 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的抗辐射设备。该器件的最大额定电压为 100V，额定电流为 3.5A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。其电气性能高达 100krad(Si) TID，符合 QIRL 标准，是太空环境的可靠选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区