IRHLMS77064
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IRHLMS77064

数据手册
封装

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IRHLMS77064
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    162 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR R7 MOSFET 是单 N 通道器件，具有 TO-254AA 低欧姆封装，专为在抗辐射环境中使用而设计。它可以处理 60V 和 45A，同时保持单粒子门破裂和烧毁免疫力。其电气性能高达 100krad(Si) TID 分类，为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备提供了简单的解决方案。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区