IRHLMS77064
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IRHLMS77064

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IRHLMS77064
IRHLMS77064
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    162 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IR R7 MOSFET 是单 N 通道器件,具有 TO-254AA 低欧姆封装,专为在抗辐射环境中使用而设计。它可以处理 60V 和 45A,同时保持单粒子门破裂和烧毁免疫力。其电气性能高达 100krad(Si) TID 分类,为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备提供了简单的解决方案。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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