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IRHLNJ73034

数据手册
封装

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IRHLNJ73034
IRHLNJ73034
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    34 nC
  • QPL Part Number
    2N7606U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的 IRHLNJ73034 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，额定电压为 60V，电流为 22A。其提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。该 COTS 设备专为需要低功耗和快速切换的空间应用而设计。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

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设计资源

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