IRHLNJ73034
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IRHLNJ73034

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IRHLNJ73034
IRHLNJ73034
  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    20 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7606U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    35 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SMD-0.5 封装的 IRHLNJ73034 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件,额定电压为 60V,电流为 22A。其提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。该 COTS 设备专为需要低功耗和快速切换的空间应用而设计。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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