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IRHLNM77110

数据手册
封装

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IRHLNM77110
IRHLNM77110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    4.1 A
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM77110 R7 逻辑电平功率 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其额定电压为 100V，额定电流为 6.5A，为与 CMOS 和 TTL 控制电路接口提供了简单的解决方案。即使暴露于高达 100krad(Si) TID 的辐射后，该器件仍能将其阈值电压保持在工作限值内，同时还能免受单粒子栅极破裂和烧毁的影响。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }