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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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商品详情
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ESD等级Class 1B
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最高 ID (@100°C)4.1 A
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QG11 nC
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最高 RDS (on) (@25°C)290 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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最高 VF1.2 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.2
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极性N
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生成R7
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芯片尺寸1
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| 封装名 |
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IRHLNM77110 R7 逻辑电平功率 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其额定电压为 100V，额定电流为 6.5A，为与 CMOS 和 TTL 控制电路接口提供了简单的解决方案。即使暴露于高达 100krad(Si) TID 的辐射后，该器件仍能将其阈值电压保持在工作限值内，同时还能免受单粒子栅极破裂和烧毁的影响。
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