IRHLNM7S7214SCS
不建议用于新设计

IRHLNM7S7214SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

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IRHLNM7S7214SCS
IRHLNM7S7214SCS
  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNM7S7214SCS R7 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用抗辐射 SMD-0.2封装,额定电压为250V,额定电流为3.2A。其电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QIRL 资格。它为 CMOS 和 TTL 控制电路与辐射环境中的电源设备提供了简单的接口,同时保持了对单粒子栅极破裂和单粒子烧毁的免疫力。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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