IRHLNM7S7214SCS
不建议用于新设计

IRHLNM7S7214SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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封装

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IRHLNM7S7214SCS
IRHLNM7S7214SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM7S7214SCS R7 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用抗辐射 SMD-0.2封装，额定电压为250V，额定电流为3.2A。其电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QIRL 资格。它为 CMOS 和 TTL 控制电路与辐射环境中的电源设备提供了简单的接口，同时保持了对单粒子栅极破裂和单粒子烧毁的免疫力。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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