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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHLNM7S7214SCS
商品详情
-
ESD等级Class 1B
-
ID (@100°C) max2 A
-
ID (@25°C) max3.2 A
-
QG13 nC
-
RDS (on) (@25°C) max1100 mΩ
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SEEYes
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS250 V
-
VF max1.2 V
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.2
-
极性N
-
生成R7
-
芯片尺寸1
-
认证标准QIRL
-
配置Discrete
|
OPN
|
||
|---|---|---|
| 产品状态 | not for new design | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-0.2 Metal Lid | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 | not for new design |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.2 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHLNM7S7214SCS R7 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用抗辐射 SMD-0.2封装，额定电压为250V，额定电流为3.2A。其电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QIRL 资格。它为 CMOS 和 TTL 控制电路与辐射环境中的电源设备提供了简单的接口，同时保持了对单粒子栅极破裂和单粒子烧毁的免疫力。