IRHLNM87Y20SCS
不建议用于新设计

IRHLNM87Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLNM87Y20SCS
IRHLNM87Y20SCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    17 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNM87Y20SCS 是一款 SMD-0.2 封装的单 N 沟道 MOSFET封装,具有抗辐射设计,可处理高达 100krad(Si) TID。其额定电压为 20V,额定电流为 17A,为将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空电源设备连接起来提供了解决方案。该设备保持单粒子门破裂和单粒子烧毁免疫力,使其非常适合直接与由 3.3-5V 电源操作的逻辑门和微控制器连接。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }