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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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IRHM7250
商品详情
-
ESD等级Class 3A
-
最高 ID (@100°C)16 A
-
最高 ID (@25°C)26 A
-
QG170 nC
-
QPL部件号2N7269
-
最高 RDS (on) (@25°C)100 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS200 V
-
最高 VF1.4 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-254AA
-
极性N
-
生成R4
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸5
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | |
|
OPN
|
|
| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | |
| 封装尺寸 | |
| 封装类型 | |
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| 防潮封装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合RoHS标准 | |
IRHM7250 是一款专为空间应用而设计的单抗辐射 N 沟道 MOSFET。该器件的额定电压为 200V，额定电流为 26A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该设备具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点，在高达 100krad(Si) TID 下仍具有可靠的性能。它采用 TO-254AA 封装，并被归类为 COTS。
应用
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