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IRHM7250

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IRHM7250
IRHM7250

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHM7250 是一款专为空间应用而设计的单抗辐射 N 沟道 MOSFET。该器件的额定电压为 200V,额定电流为 26A,具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该设备具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点,在高达 100krad(Si) TID 下仍具有可靠的性能。它采用 TO-254AA 封装,并被归类为 COTS。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }