IRHM7250
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IRHM7250

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封装

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IRHM7250
IRHM7250
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHM7250 是一款专为空间应用而设计的单抗辐射 N 沟道 MOSFET。该器件的额定电压为 200V，额定电流为 26A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该设备具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 的特点，在高达 100krad(Si) TID 下仍具有可靠的性能。它采用 TO-254AA 封装，并被归类为 COTS。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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