IRHM7460SESCS

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IRHM7460SESCS
IRHM7460SESCS
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    11.7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • QG
    180 nC
  • QPL部件号
    2N7392
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    320 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHM7460SESCS 是采用 TO-254AA 封装的单个器件,具有 18A 和 500V 的能力。QIRL 符合太空标准,其电气性能可承受高达 100krad(Si) TID。凭借数十年来在太空和卫星应用中经过验证的性能和可靠性,其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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