IRHM7460SESCS

数据手册

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IRHM7460SESCS
IRHM7460SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    11.7 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    180 nC
  • QPL Part Number
    2N7392
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHM7460SESCS 是采用 TO-254AA 封装的单个器件，具有 18A 和 500V 的能力。QIRL 符合太空标准，其电气性能可承受高达 100krad(Si) TID。凭借数十年来在太空和卫星应用中经过验证的性能和可靠性，其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

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设计资源

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