IRHMB7360SE
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IRHMB7360SE

数据手册
封装

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IRHMB7360SE
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    185 nC
  • QPL部件号
    2N7391D4
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMB7360SE R4 抗辐射 HEXFET MOSFET 是一款 200V、35A N 沟道器件，采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装。它针对空间应用进行了抗辐射处理，电气性能高达 100krad（TID）并符合 COTS 分类，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机的功率损耗。它保留了MOSFET的优点，例如电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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