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IRHMB7360SE

数据手册
封装

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IRHMB7360SE
IRHMB7360SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    185 nC
  • QPL Part Number
    2N7391D4
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMB7360SE R4 抗辐射 HEXFET MOSFET 是一款 200V、35A N 沟道器件，采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装。它针对空间应用进行了抗辐射处理，电气性能高达 100krad（TID）并符合 COTS 分类，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机的功率损耗。它保留了MOSFET的优点，例如电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }