现货，推荐

IRHMS57160

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS57160
IRHMS57160
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 C
  • QPL Part Number
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57160 R5 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的高可靠、高效设备。它具有抗辐射设计、60V 额定电压、45A 额定电流以及低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低功率损耗。其电气性能高达 100krad(Si) TID，具有 COTS 分类，非常适合用于空间环境中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }