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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHMS57160
商品详情
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ESD等级Class 3B
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最高 ID (@100°C)45 A
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最高 ID (@25°C)45 A
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QG160 nC
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QPL部件号2N7471T1
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最高 RDS (on) (@25°C)13 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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最高 VF1.2 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-254AA Low Ohmic
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极性N
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生成R5
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电压等级100 V
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芯片尺寸6
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认证标准COTS
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IRHMS57160 R5 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的高可靠、高效设备。它具有抗辐射设计、60V 额定电压、45A 额定电流以及低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低功率损耗。其电气性能高达 100krad(Si) TID，具有 COTS 分类，非常适合用于空间环境中的 DC-DC 转换器和电机控制器。
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