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IRHMS57264SE

数据手册
封装

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IRHMS57264SE
IRHMS57264SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    23.5 A
  • ID (@25°C) max
    37 A
  • QG
    165 C
  • QPL Part Number
    2N7477T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    61 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57264SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，额定电压为 250V，额定电流为 37A。它是单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低功率损耗。保留了 MOSFET 的所有优点并且符合 COTS 标准。

应用

文档

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