IRHMS57264SE
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IRHMS57264SE

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IRHMS57264SE
IRHMS57264SE
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    23.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    37 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7477T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    61 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMS57264SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件,额定电压为 250V,额定电流为 37A。它是单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-254AA 低欧姆封装,电气性能高达 100krad(Si) TID。非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器,具有低 RDS(on) 和栅极电荷,可降低功率损耗。保留了 MOSFET 的所有优点并且符合 COTS 标准。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }