IRHMS6S7264

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IRHMS6S7264
IRHMS6S7264

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    28.5 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    220 C
  • RDS (on) (@25°C) max
    41 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7264 R6 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的高性能抗辐射 MOSFET。它具有 250V、45A 和低 RDS(on) 和栅极电荷,可降低开关应用中的功率损耗。该 COTS 器件保留了 MOSFET 的所有优点,包括电压控制、快速开关和温度稳定性。其特点是总剂量和单粒子效应高达 90 MeV·cm2/mg LET。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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