IRHMS9A7264
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IRHMS9A7264

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IRHMS9A7264
IRHMS9A7264

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHMS9A7264 是单个器件,具有 250V 和 82A 容量,采用 SupIR-SMD 封装。它具有更好的抗SEE能力和有用的性能,LET高达90MeV·cm2/mg。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度。它非常适合空间应用和高速开关应用,如卫星总线和有效载荷系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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