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IRHMS9A7264

数据手册
封装

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IRHMS9A7264
IRHMS9A7264
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    19.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHMS9A7264 是单个器件，具有 250V 和 82A 容量，采用 SupIR-SMD 封装。它具有更好的抗SEE能力和有用的性能，LET高达90MeV·cm2/mg。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度。它非常适合空间应用和高速开关应用，如卫星总线和有效载荷系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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