IRHN7450
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IRHN7450

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IRHN7450
IRHN7450
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7270U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    450 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHN7450 抗辐射 N 沟道 MOSFET,采用 SMD-1 封装,为空间应用提供高性能。这款 R4 MOSFET 的额定电压为 500V,电流处理能力为 11A,具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。该 COTS 设备提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能,确保关键任务应用的可靠性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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