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IRHNA57264SE

数据手册
封装

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IRHNA57264SE
IRHNA57264SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    31 A
  • ID (@25°C) max
    49 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7474U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    60 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57264SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个 MOSFET，电压为 250V，电流为 31A，非常适合空间应用。它已获得 COTS 分类。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可降低开关应用（例如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性，使其成为可靠的选择。

应用

文档

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设计资源

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