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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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商品详情
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ESD等级Class 3A
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最高 ID (@100°C)31 A
-
最高 ID (@25°C)49 A
-
QG165 nC
-
QPL部件号2N7474U2
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最高 RDS (on) (@25°C)60 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS250 V
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最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100
-
封装SMD-2
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极性N
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生成R5
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电压等级100 V
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芯片尺寸6
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认证标准COTS
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语言SPICE
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IRHNA57264SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个 MOSFET，电压为 250V，电流为 31A，非常适合空间应用。它已获得 COTS 分类。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可降低开关应用（例如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性，使其成为可靠的选择。
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