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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNA6S7260SCS
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ESD等级Class 3A
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QG240 nC
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最高 RDS (on) (@25°C)28 mΩ
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IRHNA6S7260SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 40A。该 QIRL 设备采用 SMD-2 封装，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷，该 MOSFET 非常适合空间中的开关应用。
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