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IRHNA6S7260SCS
商品详情
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ESD等级Class 3A
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ID (@100°C) max40 A
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QG240 nC
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS200 V
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VF max1.2 V
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封装SMD-2
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IRHNA6S7260SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 40A。该 QIRL 设备采用 SMD-2 封装，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷，该 MOSFET 非常适合空间中的开关应用。