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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNA7260 R4 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，具有 200V 和 27A 容量。它采用密封 SMD-2 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为低功耗开关应用的理想选择，并且具有 MOSFET 的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。
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