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IRHNA7260

数据手册
封装

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IRHNA7260
IRHNA7260
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    27 A
  • ID (@25°C) max
    43 A
  • QG
    290 nC
  • QPL Part Number
    2N7433U
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.8 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA7260-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f4764111ed
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA7260 R4 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，具有 200V 和 27A 容量。它采用密封 SMD-2 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为低功耗开关应用的理想选择，并且具有 MOSFET 的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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