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IRHNA7460SE

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IRHNA7460SE
IRHNA7460SE

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA7460SE R4 MOSFET 是一款抗辐射单 N 沟道器件,具有 500V 和 12A 容量,采用 SMD-2 封装。作为 COTS 部件,它提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择,例如 DC-DC 转换器和电机控制,同时保留了 MOSFET 的优势。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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