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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNJ57130A
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
最高 ID (@100°C)16 A
-
最高 ID (@25°C)22 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7481U3
-
最高 RDS (on) (@25°C)75 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | |
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OPN
|
|
| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | |
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| 符合RoHS标准 | |
IRHNJ57130A 是一款高性能抗辐射 100v、22A N 沟道 MOSFET，专为空间应用而设计。这款符合 QPL 标准的 R5 设备采用 SMD-0.5 封装，具有总剂量和单粒子效应 (SEE) 特性。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可降低卫星总线和有效载荷切换应用中的功率损耗。
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