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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNJ57130SCSB
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
最高 ID (@100°C)16 A
-
最高 ID (@25°C)22 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7481U3
-
最高 RDS (on) (@25°C)75 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
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最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准QIRL
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语言SPICE
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配置Discrete
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| 符合RoHS标准 | |
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNJ57130SCSB 提供高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的电气性能。它的额定电压为 100V，最大电流为 22A。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。该设备可靠性高，适合太空应用。
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