现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNJ57130SCSB

数据手册
封装

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IRHNJ57130SCSB
IRHNJ57130SCSB
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    75 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNJ57130SCSB 提供高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的电气性能。它的额定电压为 100V，最大电流为 22A。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。该设备可靠性高，适合太空应用。

应用

文档

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设计资源

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