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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNJ57230SE
商品详情
-
ESD等级Class 1A
-
最高 ID (@100°C)7.8 A
-
最高 ID (@25°C)12 A
-
QG35 nC
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QPL部件号2N7486U3
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最高 RDS (on) (@25°C)220 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS200 V
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最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
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配置Discrete
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OPN
|
|
| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | |
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IRHNJ57230SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的抗辐射单 N 沟道 MOSFET。采用SMD-0.5封装，电气性能高达100krad(Si)TID，最大电压200V，电流容量12A。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可最大限度地减少开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有典型优点。
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