IRHNJ57230SE
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IRHNJ57230SE

数据手册
封装

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IRHNJ57230SE
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL部件号
    2N7486U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ57230SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的抗辐射单 N 沟道 MOSFET。采用SMD-0.5封装，电气性能高达100krad(Si)TID，最大电压200V，电流容量12A。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可最大限度地减少开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有典型优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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