IRHNJ597130
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IRHNJ597130

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IRHNJ597130
IRHNJ597130
  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    -8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -12.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7545U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    205 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ597130 是一款 R5、抗辐射、-100V、-12.5A、单 P 通道 MOSFET,采用 SMD-0.5 封装。其电气性能高达 100krad(Si) TID,并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用,同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }